當(dāng)前位置：首頁產(chǎn)品中心可靠性測試設(shè)備動態(tài)老化測試系統(tǒng) 動態(tài)老化測試系統(tǒng) 高溫動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng) (DHTRB2000)

高溫動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)(DHTRB2000)

該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進(jìn)行動態(tài)反偏老化測試，測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進(jìn)行最高12個工位的測試，工位具備獨立脈沖源配置?？蔀槠骷峁┦覝貇200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。

功能

dv/dt>50V/ns (COSS<300pF)
2us的過流保護(hù)
溫控在室溫~200℃內(nèi)可獨立加熱，兼容靜態(tài)HTRB試驗
充分的實驗員人體安全考慮設(shè)定

產(chǎn)品特性

試驗溫度	室溫~200°C(熱板形式加熱)
老化試驗區(qū)	8區(qū)(可擴(kuò)容)
單區(qū)工位	12 (典型)
試驗方法	主動式: VGS, off= VGS, min recom and VGS, on = VGS, max 被動式: VGS = VGS, min recom
試驗電壓	50V-1200V
電壓精度	檢測誤差: ±(2%+1V)
脈沖控制	1.脈沖頻率(方波): 0kHz~100kHz; 精度:2%+2LSB(最大頻率取決于電壓，DUT電容) 2.方波占空比20%~80%; 精度: ±2% 3.電壓上升率 (dv/dt)≥50V/ns (Coss<300pF) 4.電壓過沖<15% (Vpp>960V)
VGS電壓測控范圍	-0.7V~-20V/0V
漏電流檢測	檢測范圍: 0.1uA~20mA 精度: 第一檔0.1uA~0.999uA分辨率為0.01uA 精度: 1%+0.02uA 第二檔1.00uA~99.9uA分辨率為0.1uA 精度: 1%±0.2uA 第三檔100uA~999uA 分辨率為1uA 精度: 1%±2uA 第四檔1.0mA~20.00mA 分辨率為0.1mA 精度: 1%+0.2mA
整機(jī)供電	三相AC380V+38V
整機(jī)重量	700Kg(典型)
整機(jī)尺寸(典型)	800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A

適用器件

適用于SiC、GaN、IGBT模塊、MOS管