當(dāng)前位置：首頁產(chǎn)品中心可靠性測試設(shè)備動態(tài)老化測試系統(tǒng) 動態(tài)老化測試系統(tǒng) 高溫高濕動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng) (DH3TRB2000)

高溫高濕動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)(DH3TRB2000)

該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進(jìn)行高溫高濕動態(tài)反偏老化測試，測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進(jìn)行最高6個工位的測試，工位具備獨(dú)立脈沖源配置?？蔀槠骷峁?biāo)準(zhǔn)85°C/85%RH試驗環(huán)境。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。

功能

nA級別的漏電流檢測精度
dv/dt>30v/ns (Coss<300pF)
整機(jī)30s的全工位數(shù)據(jù)刷新
獨(dú)特高壓抑制電路，器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進(jìn)程
可定制工位老化電壓獨(dú)立控制功能，實現(xiàn)單工位老化超限剔除
充分的實驗員人體安全考慮設(shè)定

產(chǎn)品特性

試驗溫度	室溫+10℃ ~+150℃
試驗濕度	10%RH~98%RH
試驗方法	VGS, off = VGS, min，VGS, on = VGS, max
老化試驗區(qū)	14區(qū)（14/16區(qū) 可選）
單位工位	6（典型）
試驗電壓	50V ~ 1000V
電壓檢測精度	檢測誤差：±(2% ±1V)
脈沖控制	1. 脈沖頻率（方波）：10kHz ~ 50kHz，精度：2% ± 2LSB 2. 方波占空比 20% ~ 80%，精度：±2% 3. 電壓上升率 (dv/dt) ≥ 30V/ns（Coss < 300pF） 4. 電壓過沖視脈沖電壓幅度而定，最大不超過 10%VDS
VGS電壓測試范圍	被動式：-0.7V ~ -20V/0V 主動式：根據(jù)設(shè)備設(shè)定值：VGS電壓：正電壓 18V、20V、22V，3 種選擇；負(fù)電壓 -3V、-5V、-12V 任選
漏電流檢測	檢測范圍：0.1uA ~ 20mA 精度：第一檔0.1uA ~ 0.999uA，分辨率為 0.01uA，精度：1% ± 0.02uA 第二檔1.00uA ~ 99.9uA，分辨率為 0.1uA，精度：1% ± 0.2uA 第三檔100uA ~ 999uA，分辨率為 1uA，精度：1% ± 2uA 第四檔1.0mA ~ 20.00mA，分辨率為 0.01mA，精度：1% ± 0.2mA
整機(jī)供電	三相AC380V ±38V
整機(jī)重量	1200Kg（典型）
整機(jī)尺寸	2000mm(W)×1505mm(D)×1950mm(H)

適用標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A

適用器件

適用于SiC、GaN、IGBT模塊、MOS管